近日，英特尔宣布，其18A制程节点（1.8纳米）已经准备就绪，并计划在今年上半年开始设计定案。
该制程将导入多项先进半导体技术。18A制程相較(jiào)於(yú)英特尔3nm制程，可将芯片密度提升30%，并提高每瓦性能约15%。英特尔计划将18A制程应用於(yú)即将推出的(de)Panther Lake笔电处理器與(yǔ)Clearwater Forest服务器CPU，这两款产品预计将於(yú)年底前上市。
18A制程的(de)一大突破是PowerVia背面供电技术。该技术透过将粗间距金属层與(yǔ)凸块移至芯片背面，并采用纳米级硅穿孔（through-silicon vias，TSV），以提高供电效率。英特尔表示，这项技术可提升ISO功耗效能4%，并增加标准单元利用率5%至10%。
另一项关键技术是RibbonFET，这是英特尔的(de)全栅极晶体管（GAA）设计。與(yǔ)传统鳍式场效晶体管（FinFET）相比，RibbonFET可更精细地控制电流流动，并有效降低功耗與(yǔ)漏电，这对於(yú)高密度、小型化的(de)芯片來(lái)说尤为重要。
提起英特尔，外界大多会想到近年來(lái)该公司面临重大财务压力，英特尔在2024年的(de)财务报告中显示亏损了130亿美元。由於(yú)英特尔连年亏损，市场上关於(yú)该公司可能进行业务拆分或(huò)出售部分代工业务的(de)猜测不断增加。
随着美国政府推动半导体本(běn)土化，英特尔18A制程的(de)成败，将成为美国半导体产业竞争力的(de)重要指标。
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